| Номер детали производителя : | BAS16LTH-G3-08 |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Состояние на складе : | 10804 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GP 100V 250MA DFN1006-2A |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | BAS16LTH-G3-08.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | BAS16LTH-G3-08 |
|---|---|
| производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Описание | DIODE GP 100V 250MA DFN1006-2A |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 10804 pcs |
| Спецификация | BAS16LTH-G3-08.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.25 V @ 150 mA |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DFN1006-2A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Automotive, AEC-Q101 |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 4 ns |
| Упаковка / | 0402 (1006 Metric) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 100 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 250mA |
| Емкостной @ В.Р., F | 0.36pF @ 0V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | BAS16 |







DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
DIODE SWITCH 200MA 75V SOT23
DIODE SS SW 75V 200MA SOT-23
DIODE GP 100V 250MA DFN1006-2A
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD923
DIODE GP 75V 300MA SOT23-3 10K
DIODE GP 100V 215MA DFN1006BD-2
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Diodes - Rectifiers - Single SOT