| Номер детали производителя : | BYM10-800-E3/96 |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Состояние на складе : | 4700 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | BYM10-800-E3/96(1).pdfBYM10-800-E3/96(2).pdfBYM10-800-E3/96(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | BYM10-800-E3/96 |
|---|---|
| производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Описание | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 4700 pcs |
| Спецификация | BYM10-800-E3/96(1).pdfBYM10-800-E3/96(2).pdfBYM10-800-E3/96(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.2 V @ 1 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 800 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-213AB |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | SUPERECTIFIER® |
| Упаковка / | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | BYM10 |







DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB