| Номер детали производителя : | RS1FD-M3/I |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | RS1FD-M3/I.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | RS1FD-M3/I |
|---|---|
| производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Описание | DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | RS1FD-M3/I.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.25 V @ 1 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-219AB (SMF) |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 500 ns |
| Упаковка / | DO-219AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F | 5pF @ 4V, 1MHz |







MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
DIODE GEN PURP 800V 1A DO219AB