| Номер детали производителя : | RS3J-M3/57T | 
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | 
| Состояние на складе : | - | 
| Описание : | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | 
| Доставить из : | Гонконг | 
| Спецификация : | RS3J-M3/57T(1).pdfRS3J-M3/57T(2).pdf | 
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS | 
| Часть № | RS3J-M3/57T | 
|---|---|
| производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | 
| Описание | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | 
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии | 
| Спецификация | RS3J-M3/57T(1).pdfRS3J-M3/57T(2).pdf | 
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 2.5 A | 
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V | 
| Технологии | Standard | 
| Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) | 
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 
| Серии | - | 
| Обратное время восстановления (ТИР) | 250 ns | 
| Упаковка / | DO-214AB, SMC | 
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | 
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C | 
| Тип установки | Surface Mount | 
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V | 
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A | 
| Емкостной @ В.Р., F | 34pF @ 4V, 1MHz | 
| Базовый номер продукта | RS3J | 







DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
250NS, 3A, 600V, FAST RECOVERY R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

DIODE GP 600V 3A SMB/DO-214AA