| Номер детали производителя : | S2M-M3/5BT |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | S2M-M3/5BT(1).pdfS2M-M3/5BT(2).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | S2M-M3/5BT |
|---|---|
| производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Описание | DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | S2M-M3/5BT(1).pdfS2M-M3/5BT(2).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.15 V @ 1.5 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-214AA (SMB) |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 2 µs |
| Упаковка / | DO-214AA, SMB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 1000 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1.5A |
| Емкостной @ В.Р., F | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | S2M |







MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO
DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA

DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC
DIODE GPP 1.5A 1000V DO-214AA
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA