| Номер детали производителя : | SE30AFBHM3/6B |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | SE30AFBHM3/6B.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | SE30AFBHM3/6B |
|---|---|
| производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Описание | DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | SE30AFBHM3/6B.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 3 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-221AC (SlimSMA) |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 1.5 µs |
| Упаковка / | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1.4A |
| Емкостной @ В.Р., F | 19pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | SE30 |







DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC
DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC
DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC
CASE PLAS YLW 10.787"L X 9.764"W
CASE PLAS ORG 10.787"L X 9.764"W
DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC
DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC