| Номер детали производителя : | SEG10FGHM3/H |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Состояние на складе : | 9600 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | SEG10FGHM3/H.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | SEG10FGHM3/H |
|---|---|
| производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Описание | DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 9600 pcs |
| Спецификация | SEG10FGHM3/H.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 700 mA |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 400 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-219AB (SMF) |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Automotive, AEC-Q101 |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 1.2 µs |
| Упаковка / | DO-219AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F | 7.3pF @ 4V, 1MHz |








MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SORDIMM

NETWORK SWITCH-UNMANAGED 8 PORT

NETWORK SWITCH-UNMANAGED 8 PORT
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
NETWORK SWITCH-MANAGED 12 PORT

NETWORK SWITCH-UNMANAGED 5 PORT

MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SORDIMM
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB

MODULE DDR2 SDRAM 4GB 200SORDIMM