Номер детали производителя : | US1MHE3_A/H |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | 3160 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | US1MHE3_A/H(1).pdfUS1MHE3_A/H(2).pdfUS1MHE3_A/H(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | US1MHE3_A/H |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 3160 pcs |
Спецификация | US1MHE3_A/H(1).pdfUS1MHE3_A/H(2).pdfUS1MHE3_A/H(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AC (SMA) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Обратное время восстановления (ТИР) | 75 ns |
Упаковка / | DO-214AC, SMA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | US1 |
DIODE GEN PURP 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC