Номер детали производителя : | VS-ETF150Y65N |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | 8 pcs Stock |
Описание : | IGBT MOD 650V 201A 600W |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VS-ETF150Y65N(1).pdfVS-ETF150Y65N(2).pdfVS-ETF150Y65N(3).pdfVS-ETF150Y65N(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VS-ETF150Y65N |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | IGBT MOD 650V 201A 600W |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 8 pcs |
Спецификация | VS-ETF150Y65N(1).pdfVS-ETF150Y65N(2).pdfVS-ETF150Y65N(3).pdfVS-ETF150Y65N(4).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 650 V |
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic | 2.17V @ 15V, 150A |
Поставщик Упаковка устройства | Module |
Серии | FRED Pt® |
Мощность - Макс | 600 W |
Упаковка / | Module |
Упаковка | Box |
Рабочая Температура | 175°C (TJ) |
NTC термистора | Yes |
вход | Standard |
Тип IGBT | NPT |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 201 A |
конфигурация | Half Bridge Inverter |
Базовый номер продукта | ETF150 |
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
DIODE GEN PURP 650V 60A TO247AD
IGBT MOD 600V 109A EMIPAK-2B
IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
DIODE GEN PURP 650V 30A TO247AD
DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC