| Номер детали производителя : | VS-HFA04SD60S-M3 |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Состояние на складе : | 1574 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | VS-HFA04SD60S-M3(1).pdfVS-HFA04SD60S-M3(2).pdfVS-HFA04SD60S-M3(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | VS-HFA04SD60S-M3 |
|---|---|
| производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Описание | DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 1574 pcs |
| Спецификация | VS-HFA04SD60S-M3(1).pdfVS-HFA04SD60S-M3(2).pdfVS-HFA04SD60S-M3(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 4 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | D-PAK (TO-252AA) |
| скорость | - |
| Серии | HEXFRED® |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 3 µA @ 600 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
| Емкостной @ В.Р., F | - |
| Базовый номер продукта | HFA04 |







MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252
DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT + A
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252
SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT
IGBT MOD 600V 123A 454W SOT227
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252