Номер детали производителя : | SI7940DP-T1-GE3 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix | Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SI7940DP-T1-GE3(1).pdfSI7940DP-T1-GE3(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SI7940DP-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SI7940DP-T1-GE3(1).pdfSI7940DP-T1-GE3(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 Dual |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V |
Мощность - Макс | 1.4W |
Упаковка / | PowerPAK® SO-8 Dual |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
FET Характеристика | Logic Level Gate |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 12V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 7.6A |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
Базовый номер продукта | SI7940 |
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8