Номер детали производителя : | SISF06DN-T1-GE3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix |
Состояние на складе : | 5512 pcs Stock |
Описание : | COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SISF06DN-T1-GE3.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SISF06DN-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 5512 pcs |
Спецификация | SISF06DN-T1-GE3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8SCD |
Серии | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 7A, 10V |
Мощность - Макс | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
Упаковка / | PowerPAK® 1212-8SCD |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2050pF @ 15V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 45nC @ 10V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 28A (Ta), 101A (Tc) |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Базовый номер продукта | SISF06 |
TRANSISTOR P-CH BARE DIE
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
SMALL SIGNAL+P-CH
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE