Номер детали производителя : | SISF20DN-T1-GE3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix |
Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SISF20DN-T1-GE3.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SISF20DN-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SISF20DN-T1-GE3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8SCD Dual |
Серии | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 7A, 10V |
Мощность - Макс | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
Упаковка / | PowerPAK® 1212-8SCD Dual |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1290pF @ 30V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 33nC @ 10V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 14A (Ta), 52A (Tc) |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
Базовый номер продукта | SISF20 |
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
SMALL SIGNAL+P-CH
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE