Номер детали производителя : | SQJB80EP-T1_BE3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DUAL N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C M |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SQJB80EP-T1_BE3.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SQJB80EP-T1_BE3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | DUAL N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C M |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SQJB80EP-T1_BE3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 Dual |
Серии | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 8A, 10V |
Мощность - Макс | 48W (Tc) |
Упаковка / | PowerPAK® SO-8 Dual |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 32nC @ 10V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 30A (Tc) |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
Базовый номер продукта | SQJB80 |
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8