Номер детали производителя : | W949D2DBJX5E TR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Winbond Electronics Corporation |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | W949D2DBJX5E TR(1).pdfW949D2DBJX5E TR(2).pdfW949D2DBJX5E TR(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | W949D2DBJX5E TR |
---|---|
производитель | Winbond Electronics Corporation |
Описание | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | W949D2DBJX5E TR(1).pdfW949D2DBJX5E TR(2).pdfW949D2DBJX5E TR(3).pdf |
Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
Напряжение тока - поставка | 1.7V ~ 1.95V |
Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR |
Поставщик Упаковка устройства | 90-VFBGA (8x13) |
Серии | - |
Упаковка / | 90-TFBGA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C (TC) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 512Mbit |
Организация памяти | 16M x 32 |
Интерфейс памяти | Parallel |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 200 MHz |
Базовый номер продукта | W949D2 |
Время доступа | 5 ns |
IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 256MBIT LVCMOS 60VFBGA
IC DRAM 256MBIT LVCMOS 60VFBGA
IC DRAM 256MBIT LVCMOS 60VFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
IC DRAM 256MBIT LVCMOS 60VFBGA