Номер детали производителя : | W989D2DBJX6E TR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Winbond Electronics Corporation |
Состояние на складе : | - |
Описание : | IC DRAM 512MBIT LVCMOS 90VFBGA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | W989D2DBJX6E TR.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | W989D2DBJX6E TR |
---|---|
производитель | Winbond Electronics Corporation |
Описание | IC DRAM 512MBIT LVCMOS 90VFBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | W989D2DBJX6E TR.pdf |
Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
Напряжение тока - поставка | 1.7V ~ 1.95V |
Технологии | SDRAM - Mobile LPSDR |
Поставщик Упаковка устройства | 90-VFBGA (8x13) |
Серии | - |
Упаковка / | 90-TFBGA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C (TC) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 512Mbit |
Организация памяти | 16M x 32 |
Интерфейс памяти | LVCMOS |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 166 MHz |
Базовый номер продукта | W989D2 |
Время доступа | 5 ns |
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
IC DRAM 256MBIT LVCMOS 54VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54VFBGA
IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA
IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54VFBGA
IC DRAM 512MBIT LVCMOS 90VFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA