Номер детали производителя : | FDPF4D5N10C |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 5770 pcs Stock |
Описание : | FET ENGR DEV-NOT REL |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | FDPF4D5N10C.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FDPF4D5N10C |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | FET ENGR DEV-NOT REL |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 5770 pcs |
Спецификация | FDPF4D5N10C.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 310µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220F-3 |
Серии | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) |
Упаковка / | TO-220-3 Full Pack |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Стандартное время изготовления | 32 Weeks |
Свободный свинец | Lead free |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5065pF @ 50V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
Подробное описание | N-Channel 100V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 128A (Tc) |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F
MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
MOSFET N-CH 250V 44A TO220F
MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F
MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F