MUN5112DW1T1G

Подробности продукции

Если вам требуется запас MUN5112DW1T1G, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. MUN5112DW1T1G из ON Semiconductor представляет собой высокопроизводительный, низковольтный, одноканальный N-канальный режим режима улучшения (металл-окис-символ-символ, транзистор поля). Это устройство известно своим низким сопротивлением в штате (RDS (ON)), которое значительно снижает потери проводимости, что делает его высокоэффективным в приложениях питания. Его надежная конструкция обеспечивает превосходную тепловую стабильность и превосходную производительность переключения, идеально подходит для высокочастотных операций. MUN5112DW1T1G работает в пределах широкого диапазона температур, повышая ее универсальность. Обычно используемые в таких приложениях, как преобразователи DC-DC, синхронные выпрямители и двигательные драйверы, этот MOSFET выделяется из-за его способности эффективно обрабатывать нагрузки с высокой точкой при сохранении низкого энергопотребления. Его компактный пакет DFN также делает его подходящим для дизайнов с ограниченным пространством, что способствует его популярности в портативной электронике и автомобильной электронике, где размер и эффективность имеют решающее значение. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.