MUN5236DW1T1G

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. MUN5236DW1T1G из полупроводника представляет собой высокопроизводительный, низкопрофильный N-канальный MOSFET, предназначенный для эффективных применений переключения. Это устройство имеет ультра-низкую на растяжение (RDS (ON)) 0,95 МОм при VGS = 10 В, обеспечивая минимальные потери мощности и повышенную эффективность. Он поддерживает максимальное напряжение сливного источника (VDS) 30 В и может обрабатывать непрерывные дренажные токи до 147A, что делает его подходящим для требовательных задач управления питанием.

Ключевые преимущества включают его надежный дизайн, который предлагает превосходные тепловые характеристики и надежность. Небольшой пакет DPAK (TO-252) облегчает легкую интеграцию в компактные конструкции, сохраняя при этом высокие возможности тока. Его быстрая скорость переключения снижает потери переключения, что способствует общей эффективности системы.

Этот MOSFET идеально подходит для автомобильных, промышленных и потребительских электронных приложений, таких как управление двигателем, преобразователи DC-DC, системы управления аккумуляторами и нагрузочные переключатели. Его прочная и производительность делают его предпочтительным выбором для дизайнеров, ищущих надежные, высокоэффективные решения в Power Electronics. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.