Номер детали производителя : | NCV57090BDWR2G |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | - |
Описание : | ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NCV57090BDWR2G(1).pdfNCV57090BDWR2G(2).pdfNCV57090BDWR2G(3).pdfNCV57090BDWR2G(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NCV57090BDWR2G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | NCV57090BDWR2G(1).pdfNCV57090BDWR2G(2).pdfNCV57090BDWR2G(3).pdfNCV57090BDWR2G(4).pdf |
Напряжение - выходной подачий | 0V ~ 32V |
Напряжение - Изоляция | 5000Vrms |
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) | - |
Технологии | Capacitive Coupling |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
Серии | Automotive, AEC-Q100 |
Время нарастания / спада (Typ) | 13ns, 13ns |
Искажение ширины импульса (макс.) | - |
Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.) | 90ns, 90ns |
Упаковка / | 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C |
Количество каналов | 1 |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Пик Выходной | 6.5A |
Ток - Выходной High, Low | 6.5A, 6.5A |
Переходный импеданс синфазного сигнала (мин.) | 100kV/µs |
Базовый номер продукта | NCV57090 |
Агентство по утверждению | VDE |
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-P
ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BO
ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BO
ISOLATED DRIVER IN A COMPACT 8-P
ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BO
ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE