NUF6106FCT1G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN NUF6106FCT1G, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. NUF6106FCT1G с ON Semiconductor-это высокая производительность. МОСФЕТ НИЗКОГОДНАЯ МОДА Улучшения N-канала, предназначенный для широкого спектра приложений управления питанием. Это устройство оснащено сверхнизким RDS (ON) 2,4 мД при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и высокую эффективность в операциях переключения. Он работает в пределах диапазона напряжения от -0,3 В до 15 В на затворе к источнику (VGS), с напряжением разбивки источника дренажного источника (BVDSS) 60 В. NUF6106FCT1G поддерживает непрерывные дренажные токи до 98A, что делает его подходящим для требования промышленной и автомобильной среды. Его термически улучшенный пакет SO-8 облегчает эффективное рассеяние тепла, повышая надежность и производительность. Приложения включают в себя управление двигателем, преобразователи DC-DC, схемы защиты аккумуляторов и нагрузочные переключатели. Устройство также может похвастаться надежной защитой электростатического разряда (ESD), обеспечивая надежную работу в суровых условиях. В целом, NUF6106FCT1G предлагает исключительную производительность, долговечность и универсальность для современной электроники.