DMN31D5UFZ-7B

Подробности продукции

Как эффективная и опытная гибридная дистрибьютор электронной электроники, наша компания RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. DMN31D5UFZ-7B из Diodes Incorporated является высокопроизводительным, поверхностным N- канал MOSFET, разработанный для эффективных приложений переключения. Это устройство оснащено сверхнизким настойчивости (RDS (ON)) 2,9 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и повышенную эффективность системы. Расположенный в компактном пакете LFPAK56 (PowerSO8), он предлагает отличные тепловые характеристики, что делает его идеальным для ограниченных космических конструкций. DMN31D5UFZ-7B поддерживает напряжение источника источника (VDS) 30 В и может обрабатывать непрерывные дренажные токи до 147A, удовлетворяя требованию задач управления энергетикой. Его быстрая скорость переключения снижает потери переключения, что способствует более высокой общей эффективности. Этот MOSFET, подходящий для автомобильной, промышленной и потребительской электроники, обеспечивает надежную производительность с низкой зарядкой и превосходной бурностью лавины. Это квалифицирован AEC-Q101, обеспечивая надежность в суровых условиях. Приложения включают в себя управление двигателем, преобразователи DC-DC и загрузочные переключатели. Проверка цитата DMN31D5UFZ-7B и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.