| Номер детали производителя : | IS43LR32800H-6BL |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | IS43LR32800H-6BL.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | IS43LR32800H-6BL |
|---|---|
| производитель | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Описание | 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | IS43LR32800H-6BL.pdf |
| Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
| Напряжение тока - поставка | 1.7V ~ 1.95V |
| Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Поставщик Упаковка устройства | 90-TFBGA (8x13) |
| Серии | - |
| Упаковка / | 90-TFBGA |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Тип памяти | Volatile |
| Размер памяти | 256Mbit |
| Организация памяти | 8M x 32 |
| Интерфейс памяти | LVCMOS |
| Формат памяти | DRAM |
| Тактовая частота | 166 MHz |
| Время доступа | 5.5 ns |







256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1
IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA