F3L50R06W1E3B11BOMA1

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN F3L50R06W1E3B11BOMA1 имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. F3L50R06W1E3B11BOMA1 из инфинеонов технологий является высоким уровнем IGBT (изолированное ворот. Транзистор), разработанный для эффективного преобразования мощности. Это устройство имеет рейтинг напряжения 650 В и текущий рейтинг 50А, что делает его подходящим для требования промышленного применения. Он предлагает низкое напряжение насыщения (VCE (SAT)), что сводит к минимуму потери проводимости и повышает эффективность. Чип также включает в себя обратный проводящий диод, интегрированный в пакет, обеспечивая двунаправленные возможности обработки тока.

Ключевые преимущества включают превосходные тепловые характеристики, надежные возможности выдержания короткого замыкания и отличные характеристики переключения. Эти функции обеспечивают надежную работу в суровых условиях. F3L50R06W1E3B11BOMA1 широко используется в двигательных дисках, системах возобновляемых источников энергии, таких как солнечные инверторы и непрерывные источники питания (UPS). Его компактный дизайн и высокая надежность делают его идеальным выбором для приложений, требующих эффективного управления питанием и контроля. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.