IPB023N06N3GATMA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IPB023N06N3Gatma1, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Это устройство имеет низкий RDS (ON) 23 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. IPB023N06N3GATMA1 работает в диапазоне напряжений 600 В, что делает его подходящим для требования промышленной и автомобильной среды, где надежность и надежность имеют первостепенное значение.

Этот MOSFET, расположенный в компактном и бездомном (Toll)-пакете, предлагает превосходные тепловые характеристики и легкую сборку печатных плат. Он поддерживает высокочастотные операции переключения, снижение электромагнитных помех (EMI) и повышение общей производительности системы. Ключевые приложения включают преобразователи DC-DC, управление двигателем и солнечные инверторы. Благодаря развитой технологии кремния и строгим стандартам тестирования, IPB023N06N3Gatma1 обеспечивает надежную работу в течение широкого диапазона температур (от -55 ° C до +175 ° C), обеспечивая долгосрочную долговечность и производительность в различных электронных системах. 24 часа, мы искренне с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.