IPB80N06S407ATMA1

Подробности продукции

Если вам требуется поставка IPB80N06S407ATMA1, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. IPB80N06S407ATMA1-это высокопроизводительный MOSFET от Infineon Technologies, предназначенный для эффективных приложений переключения питания. Это устройство оснащено MOSFET режима улучшения N-канала с максимальным напряжением дренажного источника (VDS) 600 В и непрерывным током дренажа (ID) до 80А. Он предлагает низкое сопротивление в штате (RDS (ON)), что значительно снижает потери проводимости, повышая общую эффективность системы.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, надежные возможности лавины и превосходные тепловые характеристики. IPB80N06S407ATMA1 также включает в себя передовую технологию траншеи, обеспечивая надежную работу в требовательных средах. Его пакет TO-247 облегчает интеграцию в различные конструкции, обеспечивая превосходную рассеяние тепла.

Этот MOSFET идеально подходит для промышленных и автомобильных применений, таких как автоприты, электроэнергии и системы возобновляемых источников энергии. Его надежность и эффективность делают его подходящим для суровых условий, обеспечивая стабильную производительность в критических задачах управления питанием. Цена и время за выполнение IPB80N06S407ATMA1 В зависимости от требуемого количества, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в рамках внутри. 24 часа, мы искренне с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.