IPG20N04S4L11AATMA1

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN IPG20N04S4L11AATMA1 имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. Ведущий глобальный производитель полупроводников, известный своими инновационными и надежными решениями. Эта конкретная модель представляет собой N-канальный режим улучшения MOSFET, предназначенный для обеспечения превосходной эффективности в компактном пакете. Ключевые функции включают низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)), которое сводит к минимуму потери мощности и надежную конструкцию, которая обеспечивает высокую надежность даже в суровых условиях эксплуатации. Его максимальное напряжение источника источника (V (DS)) составляет 40 В, и он может обрабатывать до 20А непрерывного потока тока дренажа (I (D)), что делает его подходящим для широкого спектра применений, таких как инструменты, управляемые аккумулятором, DC -П. Тепловые характеристики IPG20N04S4L11AATMA1 также заслуживают внимания, что облегчает эффективное рассеяние тепла и, таким образом, повышает общую надежность системы. Благодаря его сочетанию высокой эффективности, долговечности и компактного размера, этот MOSFET является идеальным выбором для дизайнеров, стремящихся оптимизировать управление питанием в своих продуктах. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com, надеюсь, мы сможем сотрудничать в Будущее.