MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник для MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR, то вы пришли в нужное место! Наша компания, RX ELECTRONICS, является мировым дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR - высокопроизводительный, продвинутый MLC (Multi-Level Cell) NAND Флэш-чип памяти предназначен для решений для хранения следующего поколения. Это устройство мощностью 256 МБ является частью семейства Samsung, известного своей надежностью и эффективностью. Он имеет технологию 1Xnm, обеспечивая исключительную плотность данных и скорость чтения/записи, что делает его идеальным для компактных, но мощных приложений, таких как мобильные устройства, твердотельные накопители и встроенные системы.

Построенный с функциональностью ECC (Error Correction Code), MT29F1T208ECBBJ4-37:B TR обеспечивает целостность данных, обнаруживая и исправляя однобитные ошибки, предлагая более высокий уровень защиты от коррупции данных. Классификация B-класса указывает на то, что она может иметь незначительные косметические несовершенства, но ее электрические характеристики остаются на пиковых уровнях.

градация температуры -37 гарантирует, что он может работать надежно в экстремальных условиях, от -40°C до +85°C, что делает его пригодным для использования в прочных средах или промышленных приложениях. Его компактная упаковка BGA (Ball Grid Array) снижает форм-фактор, повышая гибкость проектирования системы.

MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR - это надежное, высокоскоростное и надежное решение для хранения, идеально подходящее для требовательных приложений, где целостность и компактность данных имеют первостепенное значение. Пожалуйста, не стесняйтесь связаться с нашей командой по продажам по info@rxelectronics.com для дальнейшего обсуждения.