Номер детали производителя : | PBRN113ES,126 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale | Состояние на складе : | 5056 pcs Stock |
Описание : | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | PBRN113ES,126.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | PBRN113ES,126 |
---|---|
производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
Описание | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 5056 pcs |
Спецификация | PBRN113ES,126.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 40V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | TO-92-3 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 1 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 1 kOhms |
Мощность - Макс | 700mW |
упаковка | Tape & Box (TB) |
Упаковка / | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Другие названия | 934058999126 PBRN113ES AMO PBRN113ES AMO-ND |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 300mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 800mA |
Номер базового номера | PBRN113 |
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Molex PicoBlade to RJ45 8 Way Da
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
CERAMIC RES 8.0000MHZ 15PF SMD
CERAMIC RES 8.0000MHZ 15PF SMD
PowerBrick GTX with Nvidia GPU
PBRN113ET-Q/SOT23/TO-236AB
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3