Номер детали производителя : | PBRN113ZS,126 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale | Состояние на складе : | 5653 pcs Stock |
Описание : | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | PBRN113ZS,126.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | PBRN113ZS,126 |
---|---|
производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
Описание | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 5653 pcs |
Спецификация | PBRN113ZS,126.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 40V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | TO-92-3 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 1 kOhms |
Мощность - Макс | 700mW |
упаковка | Tape & Box (TB) |
Упаковка / | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Другие названия | 934059136126 PBRN113ZS AMO PBRN113ZS AMO-ND |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 300mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 800mA |
Номер базового номера | PBRN113 |
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
PBRN113ZT-Q/SOT23/TO-236AB
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
PBRN113ET-Q/SOT23/TO-236AB