Номер детали производителя : | RN2910FE,LF(CB | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage | Состояние на складе : | - |
Описание : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RN2910FE,LF(CB.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN2910FE,LF(CB |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RN2910FE,LF(CB.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | ES6 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
Резистор - основание (R1) | 4.7 kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Другие названия | RN2910FE(T5LFT)CT RN2910FE(T5LFT)CT-ND RN2910FELF(CBCT RN2910FELF(CTCT RN2910FELF(CTCT-ND |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 200MHz |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR