| Номер детали производителя : | NSB8MT-E3/81 |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Состояние на складе : | 530 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | NSB8MT-E3/81(1).pdfNSB8MT-E3/81(2).pdfNSB8MT-E3/81(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | NSB8MT-E3/81 |
|---|---|
| производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Описание | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 530 pcs |
| Спецификация | NSB8MT-E3/81(1).pdfNSB8MT-E3/81(2).pdfNSB8MT-E3/81(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 8 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-263AB (D²PAK) |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8A |
| Емкостной @ В.Р., F | 55pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | NSB8 |







DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB