Номер детали производителя : | NSB8MTHE3_A/I |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NSB8MTHE3_A/I.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NSB8MTHE3_A/I |
---|---|
производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Описание | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | NSB8MTHE3_A/I.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1V @ 8A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000V |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263AB |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 32 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-263AB |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10µA @ 1000V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8A |
Емкостной @ В.Р., F | 55pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
TRANS PWR BRT PNP 30V 3A SOT223
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
NSB9435 - DIGITAL BJT PNP - PRE-
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB