Номер детали производителя : | NSB8MTHE3_B/P |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | 2000 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NSB8MTHE3_B/P(1).pdfNSB8MTHE3_B/P(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NSB8MTHE3_B/P |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 2000 pcs |
Спецификация | NSB8MTHE3_B/P(1).pdfNSB8MTHE3_B/P(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 8 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263AB (D²PAK) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8A |
Емкостной @ В.Р., F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | NSB8 |
COMMON POINT GND CORD 10MM 10'
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
TRANS PWR BRT PNP 30V 3A SOT223
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223
NSB9435 - DIGITAL BJT PNP - PRE-
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB