Номер детали производителя : | VOW2611-X001 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Opto Division |
Состояние на складе : | - |
Описание : | WIDEBODY, HIGH ISOLATION, HIGH S |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VOW2611-X001.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VOW2611-X001 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Opto Division |
Описание | WIDEBODY, HIGH ISOLATION, HIGH S |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | VOW2611-X001.pdf |
Напряжение тока - поставка | 10V ~ 30V |
Напряжение - Изоляция | 5300Vrms |
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) | 1.65V |
Поставщик Упаковка устройства | 8-DIP |
Серии | - |
Время нарастания / спада (Typ) | 14ns, 7ns |
Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.) | 100ns, 100ns |
Упаковка / | 8-DIP (0.400", 10.16mm) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип выхода | Open Collector |
Рабочая Температура | -40°C ~ 100°C |
Количество каналов | 1 |
Тип установки | Through Hole |
Входы - Side 1 / Сторона 2 | 1/0 |
Тип ввода | DC |
Скорость передачи данных | 10MBd |
Ток - выход / канал | 50 mA |
Ток - постоянный ток (если) (макс.) | 20mA |
Переходный импеданс синфазного сигнала (мин.) | 25kV/µs |
WIDEBODY 2.5 A IGBT AND MOSFET D
OPTOISO 5.3KV OPN COLLECTOR 8SMD
OPTOISO 5.3KV 1CH GATE DRVR 8SMD
WIDEBODY 2.5 A IGBT AND MOSFET D
WIDEBODY, HIGH ISOLATION, HIGH S
OPTOISO 5.3KV OPN COLLECTOR 8SMD
WIDEBODY, HIGH ISOLATION, HIGH S
WIDEBODY, HIGH ISOLATION, HIGH S
OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8SMD
OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8SMD