Номер детали производителя : | SI5905DC-T1-E3 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Siliconix | Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SI5905DC-T1-E3(1).pdfSI5905DC-T1-E3(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SI5905DC-T1-E3 |
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Описание | MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SI5905DC-T1-E3(1).pdfSI5905DC-T1-E3(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 1206-8 ChipFET™ |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3A, 4.5V |
Мощность - Макс | 1.1W |
Упаковка / | 8-SMD, Flat Lead |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
FET Характеристика | Logic Level Gate |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 8V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3A |
конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
Базовый номер продукта | SI5905 |
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8