1PMT5922BT1

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного дистрибьютора гибридной электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. На полупроводнике 1PMT5922BT1 представляет собой высокопроизводительный, двойной N-канальный MOSFET в комплектном, термическом пакете. Он имеет низкий уровень устойчивости (RDS (ON)) для минимальной потери мощности и высокой эффективности, что делает его идеальным для конструкций с ограниченным пространством. Его ключевые характеристики включают превосходные тепловые характеристики, быстрые скорости переключения и надежную защиту электростатического разряда (ESD). Устройство поддерживает широкий диапазон напряжений, как правило, до 30 В, причем непрерывные дренажные токи превышают 4А.

Преимущества 1PMT5922BT1 включают в себя уменьшенное пространство для платы из -за его небольшого места, повышенной надежности и эффективного рассеяния тепла. Это делает его подходящим для различных приложений, таких как управление двигателем, системы переключения нагрузки и системы управления аккумуляторами в потребительской электронике, автомобильной и промышленной секторах. Его двойная конфигурация позволяет дизайнерам упростить схемы при сохранении высокой производительности и экономии. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.