2SC3646S-P-TD-E

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник 2SC3646S-P-TD-E, то вы попали по адресу! Наша компания RX ELECTRONICS является дистрибьютором этого компонента по всему миру. Кроме того, мы также поставляем электронные компоненты различных известных брендов. 2SC3646S-P-TD-E — это биполярный переходной транзистор (BJT) от компании ON Semiconductor, предназначенный для высокочастотного усиления и переключения. Этот NPN-транзистор имеет частоту перехода (fT) до 8 ГГц, что делает его идеальным для радиочастотных и микроволновых схем. Он обеспечивает низкий уровень шума, превосходную линейность усиления и надежную работу в каскадах усилителей слабого сигнала. Размещенное в компактном корпусе SOT-323, устройство обеспечивает экономию места и превосходные тепловые характеристики. Ключевые характеристики включают максимальный ток коллектора 100 мА и низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер. 2SC3646S-P-TD-E обычно используется в системах беспроводной связи, таких как сотовая инфраструктура, модули Wi-Fi и устройства IoT, где критически важны высокоскоростная обработка сигнала и минимальное искажение. Его прочная конструкция обеспечивает стабильную работу в промышленных температурных диапазонах, что делает его пригодным для использования в бытовой электронике, автомобильных датчиках и портативном радиочастотном оборудовании. Этот транзистор соответствует стандартам соответствия RoHS, что отражает приверженность ON Semiconductor к экологически ответственному производству. Цена и время выполнения заказа на 2SC3646S-P-TD-E зависят от требуемого количества, отправьте нам свой запрос, наш отдел продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне надеемся на сотрудничество с вами.