HGT1S20N60C3S9A

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN HGT1S20N60C3S9A имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. Этот IC-чип имеет напряжение разбивки 600 В, что делает его подходящим для высоковольтных сред, обеспечивая надежную работу. При сопротивлении в штате (RDS (ON)) всего 200 мОм устройство сводит к минимуму потери проводимости и повышает эффективность системы. Его быстрая скорость переключения снижает потери переключения, что способствует улучшению общей производительности в электронике.

Этот MOSFET идеально подходит для различных промышленных и автомобильных применений, таких как управление двигателем, преобразователи DC-DC, солнечные инверторы и системы электромобилей. Он поддерживает компактные конструкции из -за небольшого размера упаковки без ущерба для тепловых характеристик. Кроме того, HGT1S20N60C3S9A обеспечивает надежную защиту от условий лавины и короткого замыкания, обеспечивая долговечность и долговечность в требовании эксплуатационных сценариев. Его превосходная тепловая стабильность и надежность делают его предпочтительным выбором для инженеров, проектирующих энергосберегающие решения Power Solutions. Назначьте нашу команду по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!