HGTG10N120BND

Подробности продукции

Если вам требуется надежный источник для HGTG10N120BND, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. Он имеет ультра-низкий уровень устойчивости (RDS (ON)) 6,5 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности системы. Устройство поддерживает напряжение источника дренажа (VDS) 120 В, что делает его подходящим для высоковольтных сред. Его быстрая скорость переключения снижает потери переключения, что способствует общему повышению эффективности электроники.

Этот MOSFET также обеспечивает превосходные тепловые характеристики с тепловым сопротивлением с низким содержанием соединения, что обеспечивает эффективное рассеяние тепла. Компактный пакет D2PAK экономит пространство для платы, сохраняя при этом надежную механическую стабильность. Ключевые преимущества включают высокую току, превосходную прочность на лавине и повышенную защиту ESD.

Общие применения для HGTG10N120BND включают управление двигателем, солнечные инверторы, промышленные источники питания и системы электромобилей, где надежда и эффективность, надеясь, что надежда и эффективность.