HGTG12N60A4D

Подробности продукции

Как эффективный и опытный гибридный дистрибьютор электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. Это устройство оснащена расширенной структурой траншеи, которая значительно снижает устойчивость (RDS (ON)), сохраняя при этом отличные характеристики переключения. С низким RDS (ON) 75 МОм при VGS = 10 В, он обеспечивает минимальные потери проводимости, что делает его идеальным для высокоэффективных конструкций.

HGTG12N60A4D поддерживает быстрые скорости переключения, снижая потери переключения и повышая общую эффективность системы. Его надежная производительность диода тела повышает надежность в жестких приложениях. MOSFET также обеспечивает превосходную тепловую стабильность, обеспечивая надежную работу в широком диапазоне температур (от -55 ° C до +175 ° C).

Этот MOSFET, расположенный в компактном пакете TO-247, хорошо подходит для промышленных моторных дисков, солнечных инверторов и автомобильной электроники. Его прочный дизайн и строгий контроль качества делают его доверенным выбором для инженеров, ищущих надежные решения управления питанием. По полупроводнике приверженность инновациям и надежности очевидна в результате производительности и долговечности HGTG12N60A4D., пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.