NGTB20N135IHRWG

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN NGTB20N135IHRWG, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Это устройство имеет максимальное напряжение дренажного источника (VDS) 135 В, что делает его подходящим для различных промышленных и автомобильных систем, требующих надежных возможностей обработки электрической обработкой. С ультра-низким сопротивлением в штате (RDS (ON)) NGTB20N135IHRWG обеспечивает минимальные потери проводимости, повышая эффективность схем конверсии мощности, таких как преобразователи DC-DC и драйверы двигателя.

Упакованный в компактном и термически эффективном формате 263-3 (D2PAK), этот MOSFET предлагает превосходные свойства рассеяния тепла, поддерживая надежную работу в условиях тяжелой нагрузки. Его заряд затвора (QG) оптимизирован для быстрой скорости переключения, уменьшая потери переключения и повышение общей производительности системы. Кроме того, NGTB20N135IHRWG построен для вынесения высоких токов с высоты, обеспечивая долгосрочную долговечность и стабильность.

Этот продукт придерживается строгих стандартов качества, включая квалификацию AEC-Q101, что делает его идеальным для критически важных приложений, где надежность имеет первостепенное значение. Независимо от того, используются ли в электромобилях, системах возобновляемых источников энергии или промышленной автоматизации, NGTB20N135IHRWG предоставляет превосходные решения управления питанием. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.