NGTB25N120FL3WG

Подробности продукции

Как эффективный и опытный гибридный дистрибьютор электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. переключение приложений. Это устройство имеет низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) 75 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность. С напряжением разбивки источника дренажа (BVDSS) 1200 В, он хорошо подходит для высоковольтных цепей, обеспечивая надежную защиту от переходных процессов напряжения.

NGTB25N120FL3WG работает эффективно в широком диапазоне температур (от -55 ° C до +150 ° C), что делает его идеальным для суровых промышленных сред. Его пакет TO-247 предлагает превосходные тепловые характеристики и простоту интеграции в различные конструкции схемы. Быстрая возможность переключения MOSFET уменьшает потери переключения, что способствует общей эффективности системы.

Ключевые приложения включают управление двигателем, системы возобновляемых источников энергии и источники питания. Устройство также соответствует строгим автомобильным стандартам, обеспечивая надежную работу в критически важных приложениях. В полупроводнике приверженность качеству гарантирует, что этот MOSFET обеспечивает постоянную производительность и долговечность в различных электронных системах. Пожалуйста, свяжитесь с нашим командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.