NGTB25N120IHLWG

Подробности продукции

Если вам требуется поставка NGTB25N120IHLWG, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. NGTB25N120IHLWG из ON Semiconductor-это высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для требовательных приложений переключения питания. Это устройство имеет рейтинг напряжения 1200 В, что делает его идеальным для высоковольтных систем, таких как управление двигателем, солнечные инверторы и расходные материалы. При сопротивлении в штате (RDS (ON)) обычно 2,5 Ом при VGS = 10 В, MOSFET обеспечивает эффективное преобразование мощности путем минимизации потерь проводимости. Его надежный дизайн поддерживает высокие возможности тока при сохранении низкого заряда затвора, что повышает производительность переключения и снижает потребление энергии.

NGTB25N120IHLWG размещается в пакете компактных до 247, предлагая превосходное тепловое управление и простоту интеграции в различные схемы. Устройство также обеспечивает быстрые скорости переключения, снижение потерь переключения и повышение общей эффективности системы. Кроме того, он включает в себя расширенные функции защиты для защиты от условий перегрузки и термической перегрузки. Этот надежный и универсальный MOSFET является предпочтительным выбором для инженеров, ищущих превосходную производительность в мощных приложениях. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com, надеюсь, мы сможем сотрудничать в будущем.