Номер детали производителя : | AS4C16M16MSA-6BINTR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Alliance Memory, Inc. |
Состояние на складе : | - |
Описание : | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | AS4C16M16MSA-6BINTR(1).pdfAS4C16M16MSA-6BINTR(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | AS4C16M16MSA-6BINTR |
---|---|
производитель | Alliance Memory, Inc. |
Описание | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | AS4C16M16MSA-6BINTR(1).pdfAS4C16M16MSA-6BINTR(2).pdf |
Время цикла записи - слово, страница | - |
Напряжение тока - поставка | 1.7V ~ 1.95V |
Технологии | SDRAM - Mobile SDRAM |
Поставщик Упаковка устройства | 54-FBGA (8x8) |
Серии | - |
Упаковка / | 54-VFBGA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 256Mbit |
Организация памяти | 16M x 16 |
Интерфейс памяти | Parallel |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 166 MHz |
Базовый номер продукта | AS4C16 |
Время доступа | 5.5 ns |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II