| Номер детали производителя : | IS43LR16128B-6BLI |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | IS43LR16128B-6BLI.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | IS43LR16128B-6BLI |
|---|---|
| производитель | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Описание | 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | IS43LR16128B-6BLI.pdf |
| Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
| Напряжение тока - поставка | 1.7V ~ 1.95V |
| Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Поставщик Упаковка устройства | 60-TFBGA (8x10) |
| Серии | - |
| Упаковка / | 60-TFBGA |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Тип памяти | Volatile |
| Размер памяти | 2Gbit |
| Организация памяти | 128M x 16 |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Формат памяти | DRAM |
| Тактовая частота | 166 MHz |
| Время доступа | 5 ns |







IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA