BSC059N03S G

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник для BSC059N03S G, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. Это устройство имеет ультра-низкую на устойчивость (RDS (ON)) 5,9 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. Благодаря рейтингу напряжения источника дренажа (VDS) 30 В, он хорошо подходит для низковольтных применений, таких как управление двигателем, преобразователи DC-DC и системы управления аккумуляторами.

BSC059N03S G предлагает быстрые возможности переключения, снижение потерь переключения и повышение общей производительности. Его надежный дизайн включает в себя расширенные функции теплового управления, что обеспечивает надежную работу даже в мощных условиях. MOSFET расположен в упаковке компактных до 252 (DPAK), что делает его идеальным для ограниченных космических конструкций. Кроме того, устройство поддерживает высокий непрерывный канатный ток (ID) до 74A, обеспечивая достаточную способность обрабатывать электроэнергию.

BSC059N03S G Infineon производится с использованием современных производственных процессов, обеспечивая превосходное качество и надежность. Это соответствует ROHS и поддерживает экологически чистые приложения. Этот универсальный MOSFET является главным выбором для дизайнеров, ищущих эффективные, надежные и компактные Power Solutions. Проверка цитата BSC059N03S G и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.