IPI028N08N3GHKSA1

Подробности продукции

Если вам требуется надежный источник для IPI028N08N3GHKSA1, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. Это устройство оснащено сверхнизким RDS (ON) 2,8 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение общей эффективности системы. Он работает в пределах диапазона напряжения от -0,3 В до 80 В, что делает его подходящим для широкого спектра задач управления питанием.

Ключевые преимущества включают его надежные тепловые характеристики благодаря передовой технологии траншеи, которая обеспечивает превосходное рассеяние тепла. Низкий заряд затвора и быстрые скорости переключения снижают потери переключения, что способствует повышению эффективности высокочастотных приложений. Кроме того, он предлагает превосходную буркость лавины, обеспечивая надежную работу в условиях переходных процессов.

Этот MOSFET идеально подходит для использования в автомобильной электронике, промышленных дисках и потребительской электронике, особенно в таких приложениях, как преобразователи DC-DC, схемы управления двигателями и системы управления аккумуляторами. Его компактная площадь и высокая надежность делают его предпочтительным выбором для дизайнеров, стремящихся оптимизировать пространство и производительность в требовательных средах. Обвиняйте цитату IPI028N08N3GHKSA1 и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.