| Номер детали производителя : | RN1106MFV(TL3,T) |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Состояние на складе : | 13250 pcs Stock |
| Описание : | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | RN1106MFV(TL3,T).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | RN1106MFV(TL3,T) |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 13250 pcs |
| Спецификация | RN1106MFV(TL3,T).pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства | VESM |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 47 kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 4.7 kOhms |
| Мощность - Макс | 150mW |
| упаковка | Cut Tape (CT) |
| Упаковка / | SOT-723 |
| Другие названия | RN1106MFV(TL3T)CT |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |







TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM