Номер детали производителя : | RN1702JE(TE85L,F) | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage | Состояние на складе : | 1154 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RN1702JE(TE85L,F).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN1702JE(TE85L,F) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 1154 pcs |
Спецификация | RN1702JE(TE85L,F).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Поставщик Упаковка устройства | ESV |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 10 kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | SOT-553 |
Другие названия | RN1702JE(TE85LF)TR |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 250MHz |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV